超細三氧化二鎵粉體

納米氧化鎵，微米氧化鎵，超細氧化鎵，ga2o3
技術參數(shù)
貨號
平均粒徑
純度（%）
比表面積（m2/g）
體積密度（g/cm3）
密度（g/cm3）
晶形
顏色
xt-0806-27-1
10μm
99.99
10
1.12
6.01
球形
黑色
備注：可根據(jù)用戶要求,定制其它規(guī)格產品
產品特點
氧化鎵，別名三氧化二鎵，氧化鎵(ga2o3)是一種寬禁帶半導體，eg=4.9ev，其導電性能和發(fā)光特性長期以來一直引起人們的注意。ga2o3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ，被用作于ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作o2化學探測器。
應用領域
用作高純分析試劑、用于電子工業(yè)半導體材料制備。
用作高純分析試劑、半導體材料。
包裝儲存
本品為惰氣防靜電包裝,應密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中,不宜長久暴露于空氣中,防受潮發(fā)生團聚,影響分散性能和使用效果。