金粒技術(shù)-上海金粒-沈陽東創(chuàng)【精益求精】

區(qū)域提純后的*鍺，其錠底表面上的電阻率為30～50歐姆 厘米時(shí)，純度相當(dāng)于8～9，可以滿足電子器件的要求。但對于雜質(zhì)濃度小于[kg2]10原子/厘米[kg2]的探測器級(jí)超純鍺，則尚須經(jīng)過特殊處理。
由于鍺中有少數(shù)雜質(zhì)如磷、鋁、硅、硼的分配系數(shù)接近于1或大于1，要加強(qiáng)化學(xué)提純方法除去這些雜質(zhì)，然后再進(jìn)行區(qū)熔提純。電子級(jí)純的區(qū)熔鍺錠用霍爾效應(yīng)測量雜質(zhì)（載流子）濃度，一般可達(dá)10～10原子/厘米。經(jīng)切頭去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直達(dá)到所要求的純度（10原子/厘米），這樣純度的鍺（相當(dāng)于13）所作的探測器，其分辨率已接近于理論數(shù)值。
濺射靶材ito靶材的生產(chǎn)工藝 ito靶材的生產(chǎn)工藝可以分為3種：熱等靜壓法(hip)、濺射靶材熱壓法(hp)和氣氛燒結(jié)法。各種生產(chǎn)工藝及其特點(diǎn)簡介如下：
熱等靜壓法：ito靶材的熱等靜壓制作過程是將粉末或預(yù)先成形的胚體，上海金粒，在800℃～1400℃及1000kgf/cm 2～2000kgf/cm 2的壓力下等方加壓燒結(jié)。熱等靜壓工藝制造產(chǎn)品密度高、物理機(jī)械性能好，但設(shè)備投入高，金粒技術(shù)，生產(chǎn)成本高，產(chǎn)品的缺氧率高。
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