上海伯東KRI離子源在半導(dǎo)體材料中的預(yù)清洗及刻蝕應(yīng)用

半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類(lèi)具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mω·cm～1gω·cm范圍內(nèi)）、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光導(dǎo)纖維、電子工業(yè)的重要部件、光學(xué)儀器、工藝品和耐火材料的原料，是科學(xué)研究的重要材料。
本文主要介紹上海伯東kri離子源在半導(dǎo)體材料sio2中的預(yù)清洗及刻蝕應(yīng)用。
sio2預(yù)清洗的原因:
sio2在刻蝕前需要將其表面的物、顆粒、金屬雜質(zhì)、自然氧化層等去除，且不破壞晶體的表面特性。
kri離子源在sio2基片預(yù)清洗方法：
客戶自己搭建真空系統(tǒng)，集成離子源，具體做法如下。1.將sio2基片放進(jìn)真空系統(tǒng)，調(diào)整離子源；2.抽取真空到某真空度后，啟動(dòng)離子源；3.利用離子源釋放的能量對(duì)sio2基片進(jìn)行轟擊；
kri離子源在sio2材料預(yù)清洗客戶案例：
成都某工藝研究所，通過(guò)伯東購(gòu)買(mǎi)離子源kdc40
kri離子源優(yōu)勢(shì)：
1.考夫曼離子源通過(guò)控制離子的強(qiáng)度及濃度,使拋光刻蝕速率快準(zhǔn)確,拋光後的基材上獲得平坦,均勻性高的薄膜表面。
2.kdc考夫曼離子源內(nèi)置型的設(shè)計(jì)符合離子源於離子拋光機(jī)內(nèi)部的移動(dòng)運(yùn)行。
3.不僅廣泛應(yīng)用於生產(chǎn)單位,且因離子抨擊能量強(qiáng),蝕刻效率快。
4.可因應(yīng)多種基材特性,單次使用長(zhǎng)久,耗材成本極低,操作簡(jiǎn)易,安裝簡(jiǎn)易。
伯東公司是美國(guó)kri考夫曼離子源中國(guó)總代理。
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