三酸拋光廠家-昆山韓鋁化學(xué)表面材料-徐州三酸拋光

多晶金剛石拋光液多晶金剛石拋光液以多晶金剛石微粉為主要成分，徐州三酸拋光，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同時不易對研磨材質(zhì)產(chǎn)生劃傷。主要應(yīng)用于藍(lán)寶石襯底的研磨、led芯片的背部減薄、光學(xué)晶體以及硬盤磁頭等的研磨和拋光。氧化硅拋光液氧化硅拋光液（cmp拋光液）是以高純硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品。廣泛用于多種材料納米級的高平坦化拋光，如：硅晶圓片、鍺片、化合物半導(dǎo)體材料、磷化銦，精密光學(xué)器件、藍(lán)寶石片等的拋光加工。
氧化拋光液氧化拋光液是以微米或亞微米級ceo2為磨料的氧化研磨液，三酸拋光廠家，該研磨液具有分散性好、粒度細(xì)、粒度分布均勻、硬度適中等特點。適用于高精密光學(xué)儀器，光學(xué)鏡頭，微晶玻璃基板，晶體表面、集成電路光掩模等方面的精密拋光。氧化鋁和碳化硅拋光液是以超細(xì)氧化鋁和碳化硅微粉為磨料的拋光液，主要成分是微米或亞微米級的磨料。主要用于高精密光學(xué)儀器、硬盤基板、磁頭、陶瓷、光纖連接器等方面的研磨和拋光。
半導(dǎo)體行業(yè)cmp技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(ic)和超大規(guī)模集成電路中(ulsi)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的急速發(fā)展，對拋光技術(shù)提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術(shù)（如：基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術(shù)，三酸拋光劑，不能做到全局平面化，而化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)解決了這個問題，它是可以在整個硅圓晶片上平坦化的工藝技術(shù)。
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