雙層光刻膠公司-北京賽米萊德有限公司-雙層光刻膠

光刻膠相關知識
光刻開始于一種稱作光刻膠的感光性液體的應用。圖形能被映射到光刻膠上，雙層光刻膠生產(chǎn)廠家，然后用一個developer就能做出需要的模板圖案。光刻膠溶液通常被旋轉(zhuǎn)式滴入wafer。如圖2.5所示，wafer被裝到一個每分鐘能轉(zhuǎn)幾千轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)盤上。幾滴光刻膠溶液就被滴到旋轉(zhuǎn)中的wafer的中心，離心力把溶液甩到表面的所有地方。光刻膠溶液黏著在wafer上形成一層均勻的薄膜。多余的溶液從旋轉(zhuǎn)中的wafer上被甩掉。薄膜在幾秒鐘之內(nèi)就縮到它后期的厚度，溶劑很快就蒸發(fā)掉了，wafer上就留下了一薄層光刻膠。然后通過烘焙去掉后面剩下的溶劑并使光刻膠變硬以便后續(xù)處理。鍍過膜的wafer對特定波成的光線很敏感，特別是紫外（uv）線。相對來說他們?nèi)耘f對其他波長的，包括紅，橙和黃光不太敏感。所以大多數(shù)光刻車間有特殊的黃光系統(tǒng)。
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光刻膠分類
1、負性光刻膠
主要有聚酸系(聚酮膠)和環(huán)化橡膠系兩大類，前者以柯達公司的kpr為代表，后者以omr系列為代表。
2、正性光刻膠
主要以重氮醒為感光化臺物，以酚醛樹脂為基本材料。的有az-1350系列。正膠的主要優(yōu)點是分辨率高，缺點是靈敏度、耐刻蝕性和附著性等較差。
3、負性電子束光刻膠
為含有環(huán)氧基、乙烯基或環(huán)硫化物的聚合物。 的是cop膠，典型特性:靈敏度0.3~0.4μc/cm^2 (加速電壓10kv時)、分辨率1.0um、 對比度0.95。限制分辨率
的主要因素是光刻膠在顯影時的溶脹。
4、正性電子束光刻膠
主要為甲酯、烯砜和重氮類這三種聚合物。的是pmma膠，典型特性:靈敏度40~ 80μc/cm^2 (加速電壓20kv時)、分辨率0.1μm、 對比度2~3。
pmma膠的主要優(yōu)點是分辨率高。主要缺點是靈敏度低，雙層光刻膠公司，此外在高溫下易流動，耐干法刻蝕性差。
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光刻膠分類介紹
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根據(jù)化學反應機理和顯影原理的不同，光刻膠可以分為負性膠和正性膠。對某些溶劑可溶，但經(jīng)*后形成不可溶物質(zhì)的是負性膠;反之，對某些溶劑不可溶，經(jīng)*后變成可溶的為正性膠。 從需求端來看，光刻膠可分為半導體光刻膠、面板光刻膠和pcb光刻膠。其中，半導體光刻膠的技術(shù)壁壘較高。
光刻膠產(chǎn)品種類多、性強，雙層光刻膠廠家，是典型的技術(shù)密集型行業(yè)。不同用途的光刻膠*光源、反應機理、制造工藝、成膜特性、加工圖形線路的精度等性能要求不同，導致對于材料的溶解性、耐蝕刻性、耐熱性等要求不同。因此每一類光刻膠使用的原料在化學結(jié)構(gòu)、性能上都比較特殊，要求使用不同品質(zhì)等級的光刻膠*。
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