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光刻膠
在*過(guò)程中，正性膠通過(guò)感光化學(xué)反應(yīng)，nr26 25000p光刻膠公司，切斷樹(shù)脂聚合體主鏈和從鏈之間的聯(lián)系，達(dá)到削弱聚合體的目的，所以*后的光刻膠在隨后顯影處理中溶解度升高。*后的光刻膠溶解速度幾乎是未*的光刻膠溶解速度的10倍。而負(fù)性膠，在感光反應(yīng)過(guò)程中主鏈的隨機(jī)十字鏈接更為緊密，并且從鏈下墜物增長(zhǎng)，所以聚合體的溶解度降低。見(jiàn)正性膠在*區(qū)間顯影，負(fù)性膠則相反。負(fù)性膠由于*區(qū)間得到保留，漫射形成的輪廓使顯影后的圖像為上寬下窄的圖像，而正性膠相反，為下寬上窄的圖像。
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光刻膠的主要技術(shù)參數(shù)
1．靈敏度（sensitivity）
靈敏度是衡量光刻膠*速度的指標(biāo)。光刻膠的靈敏度越高，nr26 25000p光刻膠，所需的*劑量越小。單位：毫焦/平方厘米或mj/cm2。
2．分辨率（resolution）
區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關(guān)鍵尺寸（cd，critical dimension）來(lái)衡量分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。
光刻膠的分辨率是一個(gè)綜合指標(biāo)，影響該指標(biāo)的因素通常有如下3個(gè)方面：
(1) *系統(tǒng)的分辨率。
(2) 光刻膠的對(duì)比度、膠厚、相對(duì)分子質(zhì)量等。一般薄膠容易得到高分辨率圖形。
(3) 前烘、*、顯影、后烘等工藝都會(huì)影響光刻膠的分辨率。
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含硅光刻膠
為了避免光刻膠線條的倒塌，nr26 25000p光刻膠哪家好，線寬越小的光刻工藝，就要求光刻膠的厚度越薄。在20nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，光刻膠的厚度已經(jīng)減少到了100nm左右。但是薄光刻膠不能有效的阻擋等離子體對(duì)襯底的刻蝕 [2] 。為此，研發(fā)了含si的光刻膠，這種含si光刻膠被旋涂在一層較厚的聚合物材料（常被稱作underlayer），其對(duì)光是不敏感的。*顯影后，利用氧等離子體刻蝕，把光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到underlayer上，在氧等離子體刻蝕條件下，含si的光刻膠刻蝕速率遠(yuǎn)小于underlayer，具有較高的刻蝕選擇性 [2] 。含有si的光刻膠是使用分子結(jié)構(gòu)中有si的有機(jī)材料合成的，例如硅氧烷，nr26 25000p光刻膠多少錢，含si的樹(shù)脂等
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