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微弧氧化電流密度的選定還必須與其他工藝條件和性能要求相結(jié)合。這些工藝條件包括電解液組成和溫度、基材成分、電源模式等。微弧氧化突破傳統(tǒng)陽*氧化的限制,輕金屬微弧氧化優(yōu)勢,利用電*間施加很高的電壓使浸在電解液中的電*表面發(fā)生微弧放電現(xiàn)象,電壓的高低是影響微弧氧化的主要因素之一。實驗表明,不同的溶液有不同的電壓工作范圍,輕金屬微弧氧化廠家,如果電壓過低,陶瓷層生長速度較小,陶瓷層較薄,顏色較淺,硬度也較低;工作電壓過高,工件易出現(xiàn)燒蝕現(xiàn)象,輕金屬微弧氧化價格,生成的陶瓷層致密性較差,厚度不鈞勻。
溫度對微弧氧化的影響
微弧氧化與陽*氧化不同,所需溫度范圍較寬。一般為10—90度。溫度越高,成膜越快,但粗糙度也增加。且溫度高,會形成水氣。一般建議在20—60度。由于微弧氧化以熱能形式釋放,所以液體溫度上升較快,輕金屬微弧氧化,微弧氧化過程須配備容量較大的熱交換制冷系統(tǒng)以控制槽液溫度。所以微弧氧化過程中一定要控制好溫度。微弧、微弧氧化、微弧氧化技術(shù)、微弧氧化電源
微弧氧化技術(shù)是近年來發(fā)展起來的一種鋁、鎂合金表面陶瓷化處理技術(shù),它是鋁、鎂合金在電解液中通過高壓電場作用下的放電火花燒結(jié),在其表面生成一層由α-al2o3 和γ-al2o3為主要成分并與基體形成冶金結(jié)合的氧化鋁(或氧化鎂)陶瓷層,氧化鋁(或氧化鎂)陶瓷層的高硬度、高阻*和穩(wěn)定性滿足鋁、鎂合金防海水腐蝕和高溫熱蝕以及改善其*性等。
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